K9GAG08U0E

Купить K9GAG08U0E

    НАНД прошитую K9GAG08U0E купить, применяется при ремонте майн BN41-01660B, BN41-01660A. K9GAG08U0E стоит в майн BN41-01660B (A), в моделях Samsung UE40D5500, UE46D5500, UE32D5520, UE40D5520, UE46D5520, UE32D5500 и т.д.. Так же в плазмах Samsung PS51D6900DS и PS59D6900DS, шасси F86A. Майн BN41-01605A, BN41-01605B, партномера BN94-04709T, BN94-04709C, BN94-04709U, BN94-04709D.

   Продажа прошитых NAND - для регионов! Для Белгорода и Белгородской области - лишь полноценный ремонт телевизора.

   Цену покупки спрашивайте не по телефону, а по почте        E-mail    vuk.vagner@yandex.ru    или    по обратной связи 

K9GAG08U0E

 Дефекты при которых требуется замена микросхемы:
— Циклическая перезагрузка.
— Появляется логотип samsung smart tv на несколько секунд.
— Появляется последний включенный канал и выключается.
   При выходе микросхемы из строя или ее содержимого ( прошивки ), основная система, которая находится в oneNAND BGA не видит ее и уходит на перезагрузку.

K9GAG08U0E прошивка

    NAND K9GAG08U0E прошитую купить. При закупке микросхем в Китае, половина партии, если не больше, с большим колличеством BAD ( бэд блоков ). Отбраковывая партию NAND, чтобы купить, цена хорошей микросхемы увеличивается в разы. Если прошить новую с 1 - 4 бэдами, то она будет работать. Если прошить новую с 10 - 25 бэдами, то тоже будет работать, но недолго, всего несколько месяцев.

    Если продают прошитую NAND недорого, то вы должны понимать, что бэд блоков там много и неисправность повторится быстро.

   Цена новой прошитой микросхемы NAND зависит от колличества BAD block в ней.

K9GAG08U0E прошивка

    Все микросхемы после прошивки проходят проверку на майн с сокеткой без запаивания,  в работе на телевизоре. Характерной особенностью микросхем NAND Flash является наличие плохих (дефектных) блоков - Bad blocks и так же их расположение.

    В прошитой NAND бэд блоки играют важную роль в долговечности работы микросхемы. В методе резервный блок, битый BAD блок создается таким же образом, как описано на структурном рисунке, расположенном слева. В этом методе битые BAD блоки не пропущены, а заменены на хорошие блоки. Для этой цели, плохой блок программное обеспечение для управления создает две области в флеш памяти NAND.